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4 décadas de investigación del  posgrado en Dispositivos Semiconductores BUAP

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4 décadas de investigación del  posgrado en Dispositivos Semiconductores BUAP

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Angelica García
Angelica GarcíaColumnista · 6 de Oct. 2025
4 décadas de investigación del  posgrado en Dispositivos Semiconductores BUAP

Diario Sin Secretos Ciudad de Puebla.-  La formación de profesionistas dedicados a la caracterización y desarrollo de materiales y dispositivos semiconductores para distintas aplicaciones es uno de los principales logros del posgrado en Dispositivos Semiconductores, tras cuatro décadas de su creación  El posgrado, que se imparte en el Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS) […]

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Ciudad de Puebla.-  La formación de profesionistas dedicados a la caracterización y desarrollo de materiales y dispositivos semiconductores para distintas aplicaciones es uno de los principales logros del posgrado en Dispositivos Semiconductores, tras cuatro décadas de su creación 

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El posgrado, que se imparte en el Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS) del Instituto de Ciencias de la BUAP (ICUAP), ha sido impulsor del desarrollo científico y tecnológico local y nacional, gracias a la capacitación de recursos humanos de alta calidad, dedicados a la investigación básica y aplicada.

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El CIDS ofrece la Maestría y el Doctorado en Dispositivos Semiconductores, reconocidos por el Sistema Nacional de Posgrados de la SECIHTI. El primero cumple 40 años de labor académica -aprobado por el Consejo Universitario en junio de 1985-, ha egresado 55 generaciones y titulado a 198 alumnos. Hoy es un referente en dicha área del conocimiento en la región centro-sur del país.

Con una generación de cuatro estudiantes, la Maestría en Dispositivos Semiconductores inició actividades en mayo de 1986 y en 1988 se incorporó al Padrón de Excelencia del entonces Conacyt. En aquella época, académicos de la hoy Facultad de Ciencias Físico Matemáticas de la BUAP, así como del CINVESTAV y del Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE) se incorporaron a su planta docente.

A su vez, el Doctorado en Dispositivos Semiconductores entró en funciones en 2006, tras ser aprobado por el Consejo Universitario el 19 de mayo de 2005. En este año se puso en marcha el difractómetro de rayos X, equipo necesario para la caracterización de los materiales que potencialmente pueden actuar como semiconductores.

Durante 20 años ha formado perfiles de alta calidad dedicados a la creación, desarrollo y caracterización de materiales semiconductores, al diseño de circuitos integrados, a la docencia y al impulso de proyectos de investigación que son la base de dispositivos electrónicos, como celulares, computadoras, tabletas, televisores y vehículos, entre otros. Este programa ha egresado 37 generaciones y titulado a 84 estudiantes.

Logros tecnológicos del posgrado

Diversos son los proyectos de investigación y desarrollos tecnológicos del CIDS, gracias a su posgrado. En 1987, un año después de la creación de la maestría, se diseñó un prototipo electro-estimulador funcional para rehabilitación de personas hemipléjicas, un estimulador de campo magnético para el tratamiento de fracturas óseas y un oxigenador de sangre.

Al año siguiente, el centro incursionó en el diseño, desarrollo, construcción y aplicación de equipo de hipertemia para pacientes oncológicos atendidos en el Departamento de Radioterapia del Hospital de Especialidades del IMSS en Puebla.

En 1992 se fabricó el primer laser semiconductor de arseniuro de galio; así también, tecnología para la elaboración de circuitos integrados en baja escala de integración y prototipos de mano electromecánica, de laringe electrónica y de marcapasos externo, además de interfaces para el tratamiento y diagnóstico de alteraciones del lenguaje.

En 2005 se obtuvo silicio poroso; además, se diseñaron un prototipo para estimulación magnética transcraneal, un panel fotovoltaico de concentración solar, una alineadora de mascarillas para procesos de microelectrónica y un sistema de epitaxia en fase líquida. En 2006 se logró la simulación de dispositivos microelectromecánicos y se creó un diodo electroluminiscente metal-semiconductor usando silicio poroso.

Para 2023, el CIDS se vinculó a una propuesta científica que involucra a varios laboratorios nacionales, titulada “Innovación y desarrollo de prototipos de módulos fotovoltaicos a partir de celdas solares experimentales”, impulsada por el Proyecto LNC-2023-33: I&D, liderado por el doctor Karunakaran Nair Padmanabhan Pankajakshy, responsable técnico del Laboratorio Nacional de Innovación Fotovoltaica y Caracterización de Celdas Solares (LIFYCS) del IER-UNAM.

En el presente año, los proyectos “Sistema para síntesis de películas fotoluminiscentes oxicarburos de silicio” y “Microcavidades en el UV basadas en silicio poroso”, obtuvieron sus títulos de patente; el primero el 28 de enero y el segundo el 12 de junio.

El CIDS inició como Laboratorio de Semiconductores en 1976, a iniciativa de los profesores visitantes del CINVESTAV Javier Villanueva Lomelí, Juvencio Monroy Ponce -quien fue rector de la BUAP de 1989 a 1990-, Carlos López Ramírez y Alejandro Pedroza Meléndez, uno de los creadores del robot pianista Don Cuco “El Guapo”. Posteriormente, este laboratorio se convirtió en departamento. Centro Histórico 72000

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